快科技8月21日消息，据媒体报道，英伟达宣布将自研基于3nm工艺的HBM内存BaseDie，预计于2027年下半年进入小规模试产阶段，此举旨在弥补其在HBM领域的技术与生态短板。未来，英伟达的HBM供应链将转向采用“内存原厂DRAMDie+英伟达自研BaseDie”的组合模式，标志着其在高...

快科技5月15日消息，据媒体报道，苹果正在为20周年iPhone研发多项创新技术，其中HBM内存被视为关键发展方向之一。据悉，HMB全称是HighBandwidthMemory，中文名为“高带宽内存”，这是一种全新的基于3D堆栈技术的高性能DRAM。它能提高数据吞吐量，同时降低功耗并缩小内存芯片...